进相器可控硅烧坏的解决方法 对于进相器晶闸管(进相器可控硅)是否损坏的正确检测方法: 从装晶闸管的风道内引出并用M4的螺丝固定在绝缘板上的为晶闸管的触发较,而接有触发线的那个散热器端子为晶闸管的阴极。而判断晶闸管好坏的简易办法是测其各较间的电阻。 好的晶阐管各较间电阻如下: 触发较与阴极一几十欧姆; 触发较与阳极一几十千欧; 阴极与阳极一几十千欧; 不满足上述情况,即可判定晶闸管坏!所以为了避免进相器可控硅容易烧坏,向大家介绍一下几个解决办法,希望能对大家有所帮助。 国产可控硅(晶闸管)的耐压一般不会**过1500V!而3550KW(10KV)电动机的转子开路电压为1470V,接近可控硅的耐压极限,在进相切换时,如果可控硅的参数偏差较大时,很容易造成某一对可控硅击穿!通常是(-C,+A),(-A,+B),(-B,+C)其中的一对击穿,同时对应可控硅并联的阻容吸收回路必定击穿。 进相器可控硅容易烧坏的解决办法: 1,挑选参数尽量一致的可控硅元件。可控硅耐压留1、5-2倍余量 2,适当加大阻容吸收回路的时间常数。 3,适当控制电源电压,避免启动进相机时的过电压现象 4.散热要好。